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“凌少，请看，这一台就是重新设计的离子注入机的样机，目前表现还不错，它现在还在测试当中，在隔一段时间没什么问题，就可以定型生产了，凌少你在加拿大的工厂很快就会用上了。”
凌世哲自那天回过浅水湾的别墅后，家人之间的矛盾已揭开，一家人重新回到了正常生活，现在的他有了两个女人，他每隔几天都要去新别墅住两日。
今天，他来到离香港大学不远的安布雷拉工艺实验室考察离子注入设备的，前几天就接到克里斯托弗的报告，离子注入设备已经研发成功。负责解说的是理工大学的邱明教授，他是国际离子学的权威，这台高能离子注入机就是在他和克里斯托弗一起搞出的。
离子注入机是晶元加工掺杂中要用到的设备。
掺杂是降可控数量的所需杂质掺入晶元中的特定区域内，从而改变半导体的电学性能。简单来说，就是在晶元中被刻蚀机刻出的还没有成行的晶体管半成品中，掺入一定的杂质，使那些还没有成行的晶体管生成合格的晶体管。
在芯片制程工艺中，芯片原料晶元上面是没有晶体管的，它是经过投影光刻、刻蚀、掺杂后才形成的。
具体来说，就是芯片工厂先把芯片设计师设计的芯片图首先制程芯片电路光刻板，然后在交给光刻机在晶元片上进行投影曝光，晶圆片上涂抹的光刻胶里面含有感光剂，经过显影工序后，晶圆片上就显现出了芯片的电路图；然后在交给刻蚀机把电路图给刻蚀出来。
经过这几道复杂的工序后，晶圆片在高倍显微镜下面就会看到的一个个小小的凸起，这就是晶体管的雏形，但这还不行，这些晶体管还只是一个个形状，还不具备晶体管的任何功能，还要进行掺杂才会变成真正的晶体管。
在晶元中掺入磷或其他五价元素就会形成n型半导体；掺入硼或其他三价元素就会形成p型半导体。
一句话，就是通过掺入不同杂质在晶圆片上形成一个个晶体管。
我们在半导体芯片上那些肉眼看不见，只有在高倍显微镜下才能看到的晶体管就是这么制造出来的。
人们有时候会问，在一个小小的芯片上是怎么做到几万甚至几亿个晶体管得？你们是怎么把晶体管做得那么小的，甚至达到了纳米级，你们又是怎么把那么小的晶体管按上去的？实际上晶体管不是按上去的，都是通过光刻工艺刻蚀并掺杂后形成的。而微米级、纳米级芯片，是指芯片中晶体管之间的间距，不是指晶体管的大小，晶体管之间的间距越小，相同面积的芯片上晶体管的数量就越多。晶体管之间布满了中间线，把各个晶体管给连接起来。
凌世哲接过邱明递过来的数据记录资料，翻开，上面全是离子注入机的各种运行记录，加工产品的品质记录等等，然后又在显微镜下看了下加工的样品，最后又看了看产品的各种检测报告，感到非常的满意，问道：“应该到达商业应用了吧？”
邱明回答道：“如果这台样机在运行上没有问题，结构上在优化一下，就可以进行商业化生产，凌少，以前对半导体的掺杂都是用的扩散法掺杂工艺，而利用离子注入机进行掺杂是60年代才开始的，但技术一直不成熟。我们的这台离子注入机在技术上完全的成熟，机构简单、体积小，保养、维护、维修上简单方便，掺杂品质好，标靶精度高，跟以前的掺杂方式比起来，有太多的优势了。”
“掺杂后的退火你们采用的是什么退火工艺？”
离子注入掺杂技术有个缺点，会对晶格造成损伤，因此在离子注入后需要进行退火处理来消除这些缺陷。
“我们采用的是电子束退火工艺，我们同时也试验过激光退火工艺，但与激光退火相比，电子束退火束班均匀性较好，能量转换效率可达到50％，而激光退火只有1％，比它高多了。”
电子束退火是利用电子束照射半导体表面，使其中的离子注入层在极短的时间内达到很高的温度，从而实现消除损伤的目的。它的加热过程进行得非常快速，加热仅仅限于表面层，因而能减少某些副作用。
“这种技术成熟了吗？”
“成熟，完全的成熟。”邱明回答道，脸上充满了自豪的表情，又继续说道：“凌少，离子注入和电子束退火整套工艺，全部采用自动化处理，能够大大的减轻工人的劳动强度，整套设备只需2个人就可以轻松的完成，设备相当可靠。”
“好，太好了，有了这套设备，我们的芯片生产成本将会大幅降低，成品率也会大幅提高，生产效率也会成倍增加。什么时候可以完成定型生产？”经过这么长时间，投入了这么多的资金，终于看到些成果，凌世哲开始迫不及待的想要马上把这些设备投入使用。
邱明没有回答他的问题，而是在站在一旁一副欲言又止的样子，凌世哲很快注意到他的表情，问道：“怎么了，邱教授？”
见他问道，邱明不能不回答，说道：“凌少，我认为，现在还不忙把这套设备投入生产使用，到时可以在加拿大的芯片工厂安装一台进行实验性生产看看实际使用效果如何，如果有不合适的地方我们可以在修改完善，凌少你不是要在今年年底的时候，会再次的把芯片工厂升级到8微米制程工艺吗？现在离年底还有整整一年的时间，有了这一年的时间来检验这套设备完全够了，到时候我们利用工厂升级的时候在把他安装完成不是更好？“
凌世哲想了想说道：“我同意你的建议，行，就等一年再上。不过邱教授，根据摩尔定律，半导体技术是要等到18个月集成电路才会增加一倍，虽然我公司已经早早的开始了8微米甚至7微米工艺的研究，但年底就开始升级~~~~我估计他们还拿出来。”
“不，凌少我们可以这么做，建立一个小型的工艺实验性工厂，专门从事8微米制程工艺的研究，等技术成熟后，就把8微米这套工艺安装在一个芯片工厂中，等8微米工艺在工厂中运行没有任何问题，我们在把所有的工厂的生产线升级到8微米制程工艺，同时小型实验性工厂开始进行7微米以下工艺研发，凌少你看怎么样？”
凌世哲仔细想了想，发现按照这个办法来，很适合半导体发展的规律，打个比方来说，工艺实验室研究出8微米制程技术后，拿到实验性工厂开始生产，8微米芯片就可以小批量的上市销售，由于产量小，还是刚刚出来的，可以试试市场的反应，价格上可以卖到最高，先期就可以收回部分研发投入。
当实验室工厂没什么问题后，又转入一座标准型的工厂进行生产，这个时候市场上8微米的供货量加大，价格上在适当的下调部分，这个时候人们完全已经接受了8微米芯片。到时候所有的工厂都加入到8微米芯片的生产，大规模铺货。
如果人们不接受，到时候也可以根据市场的需求对芯片进行改进，这样一来不会产生新诞生的芯片不符合市场造成大规模的滞销，从而造成大规模的亏本，就算出现滞销也是极小规模的，因为还没进入标准工厂，还在试验工厂的时候就已经反映出新芯片到底符不符合市场的需求，符合就大规模生产，不符合可以随时叫停，并对将芯片进行改进，反正是试验工厂嘛，这点小损失还是能够承受得了的，再说了，我们还可以把这些芯片进行便宜处理嘛，这样一来就不会造成什么亏损了。
想通了这里面的关节，凌世哲当且同意了邱明的提议。
参观完了离子注入设备后，凌世哲又参观了其他试验项目，特别是分布式光刻机和电耦合高能等离子体刻蚀机，在刻蚀机研究室里面看到了王海华和克里斯托弗。
整个房间里面到处都是电缆和各种大大小小的机器设备，王海华和克里斯托弗站在一推仪器中间，周围十来个大学生和几个安布雷拉公司的工程师，还有一些工人在进进出出。
他们两人没有发现凌世哲的过来，两人的注意力全都放在面前的仪器上面，克里斯托弗手里拿着一张工艺图，看了又看，然后又对着仪器看了一遍，说道：“王，不行，还是不行，不是我们思路有问题，我们的方向是对的，设计上也没有问题，而是我们现在的硬件环境还达不到要求，我们唯一的办法只有等到硬件达到了要求，这个机器才能达到公司使用的标准。”
王海华知道克里斯托弗说得是对了，但他有点不甘心的说道：“我想试试有没有别的思路的可能。”
“不，王，这个是最正确的思路，别的都不行，有各种各样的问题，而且你看，boss上面提到的技术要点，已经找到了解决的办法，我们已经做了无数遍试验，都证明其正确性，只是因为现在的科技水平还太低，我们还达不到要求罢了，只要我们一直沿着这条路走下去，总有一天我们会成功的，不要试图去找别的路的，这条就是最好的路。”克里斯托弗指了指手上的资料说道。
这时旁边一名工程师转身看到凌世哲喊道：“boss。”
克里斯托弗和王海转身看到他，凌世哲笑着对他们二人说道：“我这里有一份暂时的替代方案，你们看看。”
接过助手递过来的公文包，凌世哲从里面拿出一个厚厚的资料袋，交给二人。
王海文接过资料袋并没有打开，而是对着凌世哲说道：“凌少，这里不是说话的地方，走，我们到办公室去说。
看了看这里进进出出的人，的确不是说话的地方，凌世哲点点头。
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